SRM 2842 半導體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分數(shù) x 接近 0.30）

       本標準參考物質(zhì)（SRM）旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，如電子探針分析（EMPA）、光致發(fā)光（PL）、俄歇電子能譜（AES）和X射線光電子能譜（XPS）。SRM 2842的單元由AlxGa1-xAs的外延層組成，該外延層通過使用膠帶在安裝到不銹鋼盤上的砷化鎵（GaAs）襯底上生長，具有經(jīng)認證的Al摩爾分數(shù)x。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜外殼中。SRM作為比較標準的正確使用取決于分析方法（見“測量條件和程序"和NIST特別出版物260-163[1]）。

SRM Number（貨號）：SRM 2842

Description：Semiconductor Thin Film: AlxGa1-xAs Epitaxial Layers (Al mole fraction x near 0.30)

描述：半導體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分數(shù) x 接近 0.30）

Unit of Issue（產(chǎn)品規(guī)格）：disk

SRM 2842 半導體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分數(shù) x 接近 0.30）

       儲存和處理：AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但在儲存和處理過程中，薄膜會受到表面污染和氧化。SRM應儲存在無塵的氮氣環(huán)境中或溫度低于50°C的真空環(huán)境中。為了運輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用而偶然暴露于空氣中，直到這種暴露超過數(shù)千小時，才發(fā)現(xiàn)會產(chǎn)生顯著污染。SRM應由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不要接觸半導體區(qū)域。半導體表面的顆粒污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染。用于將半導體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，使用這些溶劑可能導致粘合劑或膠帶顆粒遷移到樣品表面。應將試樣表面的邊緣排除在分析之外。

部分NIST標準物質(zhì)產(chǎn)品目錄（僅列舉小部分）：